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宝马会登录谐波如何测试?谐波测试两种主要方

  有源RF和FEM的第二个关键属性是谐波行为。谐波行为由非线性器件引起,会导致在比发射频率高数倍的频率下产生输出功率。由于许多无线标准对带外辐射进行了严格的规定,所以工程师会通过测量谐波来评估RF或FEM是否违反了这些辐射要求。

  测量谐波功率的具体方法通常取决于RF的预期用途。对于通用RF等器件备来说,谐波测量需要使用连续波信号来激励DUT,并测量所生成的不同频率的谐波的功率。相反,在测试无线手机或基站RF时,谐波测量一般需要调制激励信号。另外,测量谐波功率通常需要特别注意信号的带宽特性。

  使用连续波激励测量谐波需要使用信号发生器和信号分析仪。对于激励信号,需要使用信号发生器生成具有所需输出功率和频率的连续波。信号发生器生成激励信号后,宝马会登录信号分析仪在数倍于输入频率的频率下测量输出功率。常见的谐波测量有三次谐波和五次谐波,分别在3倍和5倍的激励频率下进行测量。

  RF信号分析仪提供了多种测量方法来测量谐波的输出功率。一个直截了当的方法是将分析仪调至谐波的预期频率,并进行峰值搜索以找到谐波。例如,如果要测量生成1GHz信号时的PA三次谐波,则三次谐波的频率就是3GHz。

  测量谐波功率的另一种方法是使用信号分析仪的零展频(zero span)模式在时域中进行测量。配置为零展频模式的信号分析仪可以有效地进行一系列功率带内测量,并将结果以时间的函数形式表现出来。在此模式下,可以在时域上测量选通窗口中不同频率的功率,并使用信号分析仪内置的取平均功能进行计算。

  实际上,许多PA被用来放大调制信号,而且这些PA的谐波性能需要调制激励。与使用连续波类似,通常在接近设备饱和点的功率电平下,将已知功率激励信号发送到PA的输入端。

  测量谐波输出功率时,工程师通常会根据测量时间和所需的准确度等不同限制条件而采用图通方法。

  实际上,3GPP LTE和IEEE 802.11ac等无线标准并没有对谐波的要求进行具体的规定,而是规定了在一定频率范围内最大杂散辐射要求。例如,3GPP LTE规定LTE发射器在超过1GHz的频率下,在1MHz的带宽内不能发射超过-30dBm的功率。在这种情况下,验证PA是否会导致发射器超出此限制需要工程师在1 MHz带宽下测量不同谐波频率下的辐射。

  实际上,工程师们采用了一系列方法来确保PA不会违反杂散辐射要求。在研发或特性分析实验室中,工程师通常会使用频谱信号分析仪或是矢量信号分析仪直接测量杂散辐射。然而,在制造环境中,由于测试时间至关重要,工程师通常直接测量谐波功率并使用统计相关性来预测PA是否违反杂散辐射要求。

  测量调制信号的谐波需要仔细注意测量带宽,因为谐波所需的测量带宽因不同阶次的谐波而异。举例来说,当测试需要N MHz测量带宽的PA的输出谐波时,三次谐波的测量带宽必须为3 * N MHz,而五次谐波的测量带宽必须为5 * N MHz。例如,图16展示了谐波的带宽随着谐波阶次的增加而增加。

  由于现代通信信号谐波要求较宽的带宽,所以工程师可以根据信号分析仪的瞬时带宽来在时域或频域上测量谐波。使用信号分析仪的零展频模式进行时域谐波测量是第一选择,但实际情况未必切实可行。例如,精确测量160MHz 802.11ac信号的三次谐波需要480MHz的瞬时带宽。在这种情况下,需要生成非突发激励信号或者需要小心地配置信号分析仪的功率触发,以确保每次采集的信号等效于突发信号。宝马会登录

  需要注意的是,GSM、UMTS和LTE等蜂窝标准的规范对发射信号的最大杂散辐射(而不是谐波功率本身)进行了具体规定。因此,除了使用实际谐波之外,许多工程师还会根据杂散辐射限制来分析无线PA的特征。

  PA线性度的另一个重要指标是互调失真(IMD)。虽然IMD是衡量所有PA 线性度的重要工具,但是该指标最常用于不需要相邻信道功率测量的通用功率放大器。

  为了理解IMD,我们需要回顾一下非线性系统的多音信号理论。虽然单音激励信号会在该信号频率的每个倍数处产生谐波行为,但是多音信号产生的非线性产物需要在更宽的频率范围才会出现。

  如图17所示,PA输出端的二阶失真产物出现在输入信号频率每个倍数的频率处。f2 - f1, 2f1, f1 + f2,和2f2处产生的失真产物包含每个输入音的二次谐波以及两个输入音频率相加和相减频率处的失线. IMD理论

  三阶失真描述的是一阶基音信号和每个二阶失真产物之间的相互作用。 事实上,通过数学计算,可以看到两个特定的三阶失真出现在接近基音频率的频率下。以一个实际应用为例,当PA发送调制信号时,三阶失真作为带内失真出现在邻近感兴趣频带的地方。

  互调失真(IMD)和三阶截点(TOI)是NI-RFSA软件前面板(SFP)的内置测量功能。进行这些测量时,可以将信号分析仪的频率设置为以两个基音为中心频率,以确保可以看见高于本地噪声的三阶失真产物。在NI-RFSA SFP上选择检测音,生成测量结果。NI-RFSA SFP会自动识别基音的功率差以及三阶失真产物的功率差,并显示正确的测量结果。有关PXI RF信号分析仪的更多信息,请访问以下链接:

  图18. 基音信号功率每增加1dB,三阶失线/TOI是计算所得而非测量所得的结果。一阶产物和三阶产物之间的功率增加比是3:1,利用等式24可以计算出IP3。

  TOI是衡量PA性能的重要指标,因为IMD比率取决于功率电平。TOI的测量将IMD性能的要素与绝对功率电平相结合,并通过一个数字来表示性能。

  根据IMD测量理论,执行该测量需要双音激励信号激励信号。在大多数应用中,配置双音激励信号的首选方法是将RF信号发生器连接至RF功率组合器,如图19所示。

  由于IMD是一种常见的测量方式,许多RF信号分析仪具有内置测量功能来测量IMD或IMD/TOI。事实上,NI-RFSA SFP可以自动检测基音和三阶失真产物,并计算出IMD比。

  测试高性能PA时,必须确保生成最干净的双音信号。在某些情况下,仅仅使用组合器并不能在两个信号发生器之间提供足够的隔离,也就无法产生足够干净的双音信号。在这些情况下,来自某一个源的能量会泄漏到另一个源中,导致DUT出来来自测量仪器的弱互调产物。

  假设源功率足够高,提高隔离的一个方法是在每个源和功率组合器之间连接一个衰减器,如图20所示。衰减器为在相反方向上为通过的信号提供额外的隔离。如果两个端口都使用定向耦合器或隔离器来增加隔离度,则隔离度可高达50dB。然而,耦合器通常限于单倍频程使用,因此不适用于宽频应用。利用衰减器提高源隔离

  当需要高功率激励信号时,具有足够反向隔离功能的放大器是最佳选择。除了在端口之间提供隔离之外,放大器还可以为激励信号提供增益,从而生成高功率双音激励信号。

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  和特点 快速调谐响应(幅度建立时间):ns 待定 出色的宽带抑制:≤35 dB 单芯片实现方案 符合 RoHS 标准的 24 引脚 4×4 LFCSP 封装 产品详情 ADMV8420 是一款单芯片微波集成电路(MMIC)可调带通滤波器,具有用户可选的通带频率。3 dB 滤波器带宽约为 TBD%,≤35 dB 滤波器带宽约为 TBD%。此外,施加一个0 V 至 14 V 的模拟控制电压后,中心频率可在 10 GHz 至 20 GHz 范围内变化。这款可调谐滤波器可用作大型开关滤波器组和腔体调谐滤波器的小型替代方案。由于采用单芯片设计,ADMV8420 具有出色的颤噪性能并为高级通信应用提供动态可调节解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战系统 甚小孔径终端(VSAT)通信 方框图...

  HMC1044 可编程谐波低通滤波器,1 - 3 GHz 3 dB带宽和特点 可编程带宽: 1至3 GHz 兼容窄带和宽带: 集成VCO的PLL调制器解调器 LO谐波抑制: ~20 dB 改善调制器/解调器边带/镜像抑制 性能: 20 dB(典型值) 单端或差分选项 比目前的分立式固定带宽解决方案尺寸缩小90% 16引脚3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC1044LP3E是一款针对所有采用正交调制器和/或解调器应用的可编程带宽LPF(低通滤波器)。 HMC1044LP3E可滤除LO谐波,从而确保LO对调制器边带抑制或解调器镜像抑制性能的贡献非常小或为零。 虽然HMC1044LP3E针对LO滤波应用,但它可用于滤除所有RF谐波,如放大器产生的谐波。 HMC1044LP3E提供16种可编程频段选择,针对频段范围为1至3 GHz的高低蜂窝频段进行优化,实现与集成VCO、宽带正交调制器和解调器的宽带PLL兼容的真正宽带器件。 它采用宽带多标准、多载波设计,可针对各种具体应用现场即时配置。 HMC1044LP3E采用紧凑型3x3 mm QFN无铅封装。 应用 滤除LO谐波以降低调制器边带抑制和解调器镜像抑制 放大器谐波滤波 RF滤波 方框图...

  HMC404 GaAs MMIC次谐波IRM混频器芯片,26 - 33 GHz和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 镜像抑制: 22 dB 小尺寸: 1.90 x 1.25 mm 产品详情 HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为2.31mm²。 片内90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能,镜像抑制大于22 dB。 LO放大器采用单偏置(+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 应用 26至33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC798A 24 GHz至34 GHz、GaAs、MMIC、次谐波SMT混频器和特点 单正电源:5 V (97 mA) 转换损耗:10 dB(典型值,24 GHz至30 GHz时),10.5 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 输入IP3:17.5 dBm(典型值,24 GHz至30 GHz时),20 dBm(典型值,30 GHz至34 GHz时)(上变频器) 2 × LO至RF隔离:36 dB(典型值,30 GHz至34 GHz时) 宽IF带宽:DC至4 GHz LO驱动电平:4 dBm输入 次谐波2 × LO 符合RoHS标准的24引脚、3.90 mm × 3.90 mm、LCC陶瓷封装 产品详情 HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次谐波(×2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无铅LCC封装。HMC798ALC4可用作频率范围为24 GHz至34 GHz的上变频器或下变频器。 在24 GHz至30 GHz和30 GHz至34 GHz频率范围内,2 × LO至射频(RF)隔离通常分别为30 dB和36 dB,无需额外滤波。LO放大器采用单偏置(5 V dc)设计,通常需要4 dBm的LO驱动电平。HMC798ALC4无需线焊,可以使用表贴(SMT)制造技术。应用 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电 测试设备 点对点无线电 卫星通信(SATCOM) 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指...

  HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 37 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm 产品详情 HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC337 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,17 - 25 GHz和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...

  HMC338LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,24 - 34 GHz和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO DC - 3 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 单正电源: +4V (31mA) 产品详情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V到+4V)设计,需-5 dBm的标称驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至3 GHz。 HMC338LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 SATCOM方框图...

  HMC-MDB218 次谐波I/Q混频器/IRM芯片,54 - 64 GHz和特点 宽IF带宽: DC - 3 GHz RF频率: 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制: 30 dB 无源;无需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 40 dB 小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC264芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 高输入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔离: 30 dB 高2LO/RF隔离: 50 dB 宽IF带宽: DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...

  HMC264LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,21 - 31 GHz和特点 集成LO放大器:-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔离: 28 dB 高2LO/RF隔离: 43 dB 宽IF带宽: DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至12 GHz,RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...

  HMC264LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 30 GHz和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...

  HMC338-DIE GaAs MMIC次谐波混频器芯片,26 - 33 GHz和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器,可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、宝马会登录更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  HMC1093 GaAs MMIC次谐波混频器,37 - 46.5 GHz和特点 次谐波 (x4) LO 低LO功率: -1 dBm 高4LO/RF隔离: 20 dB 宽IF带宽: DC至7.5 GHz 下变频应用 裸片尺寸: 1.45 X 3.85 X 0.1 mm 产品详情 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器,RF端口为37至46.5 GHz,IF端口范围为DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技术,提供20 dB的4LO至RF出色隔离性能,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V)两级设计,所需LO功率仅为-1 dBm。 RF和LO端口为隔直端口并匹配至50 Ohms,使用方便。 此处显示的所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线 GHz微波无线电 军用最终用途方框图...

  和特点 高精度;支持IEC 62053-21、IEC 62053-22、IEC 62053-23、EN 50470-1、EN 50470-3、ANSI C12.20和IEEE1459标准 支持IEC 61000-4-7 I类和II类精度规格 兼容三相三线或三相四线(三角形或星形)及其它三相配置 测量所有相位上2.8 KHz通带范围内所有谐波的rms/有功/无功/视在功率、功率因数、THD+N和谐波失真 测量零线 KHz通带范围内所有谐波的有效值和谐波失线的动态范围内谐波电流和电压有效值、谐波有功和无功功率的误差小于1% 测量各相及整个系统的总(基波和谐波)有功/视在功率和基波有功/无功功率 TA = 25°C时,在1000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.1% TA = 25°C时,在5000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.2% 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADE7880是一款高精度、三相电能计量IC,采用串行接口,并提供三路灵活的脉冲输出。该器件内置多个二阶Σ-Δ型模数转换器(ADC)、数字积分器、基准电压源电路及所有必需的信号处理电路,实现总(基波和谐波)有功/视在功率测量和有效值计算,以及基波有功/无功功率测量。此外,ADE7880可...

  HMC265LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 31 GHz和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。宝马会登录 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...

  HMC892A 3.45 GHz 至 6.25 GHz 可调谐带通滤波器和特点 幅度稳定时间:200 ns出色的宽带抑制:≥30 dB机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC892ALP5E 是一款可调谐的带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 8.7%。20 dB 滤波器带宽约为 23.8%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 3.45 GHz 至 6.25 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的较小替代方案。由于采用单片设计,HMC892ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战 (EW)/电子对抗 (ECM) 卫星通信 (SATCOM) 和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...

  和特点 幅度稳定时间:200 ns 出色的宽带抑制:≥30 dB 机械调谐设计的单芯片替代方案 符合 RoHS 指令的 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装 产品详情 HMC890ALP5E 是一款单片微波集成电路 (MMIC) 带通滤波器,具有用户可选的通带频率3 dB 滤波器带宽约为 10%。≥20 dB 滤波器带宽约为 30%。通过施加 0 V 至 14 V 的模拟调谐电压,可以使中心频率在 1.0 GHz 至 1.9 GHz 之间变化。这款可调谐滤波器可用作外形较大的开关滤波器组和腔调谐滤波器的小得多的替代方案。由于采用单片设计,HMC890ALP5E 具有出色的颤噪效应,可在高级通信应用中提供动态可调的解决方案。应用 测试与测量设备 军用雷达和电子战/电子对抗 卫星通信和航空航天 工业设备和医疗器械 方框图...

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  近年来,由于变频调速和节能的需要,变频器已经广泛应用于电力、机械、工业、生活等各个领域变频调速技术的....

  齿轮箱作为连接和传递动力的通用部件,在现代工业设备中得到了广泛的应用。齿轮传动的特点决定了齿轮也是一....

  电力系统中有产生谐波的设备即谐波源,是具有非线性特性的用电设备。当前,电力系统的谐波源,就其非线性特....

  通俗而言,在电力系统把50HZ的电压或者电流波,叫做基波,不是50Hz的电压、电流就是谐波。电网中有....

  谐波一词起源于声学。有关谐波的数学分析在18世纪和19世纪已经奠定了良好的基础。傅里叶等人提出的谐波....

  目前,国内外采用的电压闪变测试方法主要有三种:半波有效值法、平方解调法和全波整流法[2]。但就实际电....

  本文档的主要内容详细介绍的是示波器波形分析和谐波畸变率计算等详细资料免费下载。

  对于示波器而言,最关心的一个指标就是带宽。带宽描述了从探针或测试夹具前端到ADC,输入信号幅值损失最....

  从单色简谐波条件下的麦克斯韦方程出发,在横磁(TM)波和Hz=0的假定下,可以写出标量Ex,Ey,E....

  工业机器人是中国制造2025的关键一环,其核心部件之一是谐波齿轮,它的制造精度要求极高,精度直接关系....

  变换器,是将信源发出的信息按一定的目的进行变换。现在应用最多的是矩阵式变换器,是一种交-交电源变换器....

  结合国内某运营商现有LTE网络在B1、B3和B5频段上的频率使用范围和工信部目前规划的5G频段(包括....

  阻容降压电路中有几种常见的问题,如限流电阻容易烧,电容容量下降,使用寿命短 我司针对阻容降压上述问题....

  LTM4605 是一款高效率开关模式降压-升压型电源。封装中包括了开关控制器、功率 FET 和支持元....

  这本小册子的目的是教会读者如何制定一个最恰当的谐波治理方 案,为企业获得最大经济效益。

  随着建筑物中的电气负荷以节能灯、信息设备等为主要负载,零线电流过大的现象十分普遍。造成这种现象的根本....

  毫米波混频器是毫米波通信、测量、雷达、电子对抗等系统中不可缺少的关键部件。当系统使用频率进入毫米波频....

  针对电力系统中谐波监测问题,提出了一种基于 MSP430 单片机实现小波变换,来对电力系统中 Rog....

  柔性直流输电技术相比于传统直流输电,其突出优点很多,早期的换流器由两电平输出到三电平输出再到多电平输....

  以谐波电压或谐波电流为依据的现有谐波贡献度评估指标对电网侧和用户侧阻抗参数敏感,对特定情况有效,但普....

  在电力系统中,由于大量非线性电气设备的使用,电网遭受的谐波污染越来越严重,电能质量严重恶化。高精度的....

  非线性负载所产生的谐波对电力系统的污染早已受到业界关注,在非线性负载谐波特性分析、谐波检测方法、谐波....

  近年来近红外光谱分析技术日趋成熟,被广泛应用于气体浓度检测、地下资源探索、医疗仪器等方面,在甲烷气体....

  谐波齿轮传动具有体积小,重量轻,传动比大,精度高,承载能力强等诸多优点,被应用到航空航天、机器人等众....

  随着大量非线性负荷接入电网,使得系统高压侧不可避免的引入谐波。针对电容式电压互感器( Capacit....

  随着电力电子设备的广泛使用,电网电流畸变的问题显得愈发突出。基于改善电能质量的目的,有源电力滤波器(....

  针对经验模态分解(EMD)方法处理非线性非稳态信号的不足,提出了一种自适应局部均值的EMD分解方法(....

  为了有效解决电力系统中由于谐波存在而导致的一系列问题,设计了一种基于PI+重复控制的有源电力滤波器(....

  针对现有的问谐波检测精度不高以及暂态问谐波信号定位困难等问题,探讨了一种新的间谐波检测方法。首先,将....

  针对经验模态分解(EMD)在谐波检测应用中产生模态混叠的问题,结合EMD分解的局限性和谐波检测实际情....

  电力系统稳态信号非同步采样时,利用离散傅里叶变换分析谐波会使各频率成分产生频谱泄漏,增大了谐波参数的....

  为了研究牵引网谐波谐振特性,建立了基于戴维南谐波电压源模型的牵引供电系统车网互联谐波电路模型,采用阻....

  为改善高阶FastICA问谐波检测算法对初值敏感性的问题,提出一种基于松弛因子的改进式单通道Fast....

  传统基于隐马尔科夫模型( HMM)的语音合成算法使用高斯白噪声和脉冲串来表示清浊音的激励信号,合成的....

  针对电力系统巾谐波污染严重等问题,以注入式混合的有源电力滤波器IHAPF作为研究对象,提m了基于延时....

  脉冲宽度调制( Pulse Width Modulation.PWM)整流器由于其网侧功率因数高、能....

  采用基于H-B-M本构关系的定点谐波平衡法,针对含块状导体的涡流问题推导并给出了场路耦合方程的频域形....

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